来源：芯智讯
1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥（BAT）激光器，旨在为极紫外（EUV）光刻技术的下一步发展奠定基础。该激光器的效率号称是目前ASMLEUV光刻机中使用的二氧化碳（CO2）激光器的10倍，并有望在多年后取代光刻系统中的CO2激光器。
过去数十年来，劳伦斯利弗莫尔国家实验室在尖端激光、光学和等离子体物理学研究成果，在半导体行业用于制造先进微处理器的基础科学中发挥了关键作用。这些计算机芯片推动了当今人工智能、高性能超级计算机和智能手机的惊人创新。
而最新的由劳伦斯利弗莫尔国家实验室领导的计划，将评估大孔径铥（BAT）激光器技术，与当前行业标准的CO2激光器相比，有望将EUV光源效率提高约10倍。这一进步可能为新一代“beyondEUV”的光刻系统铺平道路，这些系统可以更快、更低功耗地生产芯片。当然，将BAT技术应用于半导体生产需要重大的基础设施变化，因此需要多长时间才能取得成果还有待观察。要知道目前的EUV系统也经过了几十年的开发才得以完善并成功商用。
当前一代低数值孔径（LowNA）EUV和下一代高数值孔径（HighNA）EUV光刻系统目前所面临的关键问题之一是极高的功率消耗：这些设备的功耗分别高达1,和1,千瓦。
而EUV光刻设备之所以需要消耗如此巨大的功率，是因为它们依靠高能激光脉冲来蒸发微小的锡滴（在,oC下）以形成13.5nm的EUV光线，这需要大功率的激光器和冷却系统，能耗非常大。
具体来说，ASMLEUV光刻机的光源分为两个部分：第一个部分就是通快集团供应的30KW二氧化碳激光器，也称之为“drivelaser”，其主要作用就是提供nm波长的高功率激光，用来照射锡（Sn）金属液滴，以产生13.5nm波长的EUV光线。
△通快激光放大器的核心组件——高功率种子模块(HPSM)。根据
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